近日英特爾電子元件技術(shù)大會(huì) (ECTC) 上介紹了多項(xiàng)封裝技術(shù)突破，概述了多種新型芯片封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

其中有三種值得關(guān)注的新型封裝技術(shù)，包括：EMIB-T，用于提升芯片封裝尺寸和供電能力，以支持HBM4/4E等新技術(shù)；一種全新的分散式散熱器設(shè)計(jì)；以及一種全新的熱鍵合技術(shù)，可提高可靠性和良率，并支持更精細(xì)的芯片間連接。

英特爾代工廠旨在利用尖端工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)，為內(nèi)部和外部公司生產(chǎn)芯片。隨著處理器越來越多地采用復(fù)雜的異構(gòu)設(shè)計(jì)，將多種類型的計(jì)算和內(nèi)存組件集成到單個(gè)芯片封裝中，從而提升性能、成本和能效，這依賴于日益復(fù)雜的先進(jìn)封裝技術(shù)。

EMIB-T可提升關(guān)鍵的封裝供電效率指標(biāo)，并加快了芯片間通信速度。標(biāo)準(zhǔn)EMIB連接由于采用懸臂式供電路徑而存在高電壓降問題，而EMIB-T利用硅通孔（TSV） 從芯片封裝底部通過TSV橋接芯片進(jìn)行供電，從而實(shí)現(xiàn)了直接、低電阻的供電路徑，這對(duì)于HBM4/4E集成至關(guān)重要。與此同時(shí)，TSV還提升了芯片間的通信帶寬，使用UCIe-A 互連技術(shù)，將數(shù)據(jù)傳輸速率提升至32 Gb/s或更高。

EMIB-T還能實(shí)現(xiàn)更大的芯片封裝尺寸，達(dá)到120 x 180 mm，并在單個(gè)大型芯片封裝中支持超過38個(gè)橋接器和超過12個(gè)矩形大小的裸片。EMIB-T可支持35微米的凸塊間距，25微米間距也在開發(fā)之中，遠(yuǎn)勝于初代EMIB的55微米和第二代EMIB的45微米。此外，EMIB-T還兼容有機(jī)或玻璃基板，其中玻璃基板是英特爾未來芯片封裝業(yè)務(wù)的關(guān)鍵戰(zhàn)略方向。

英特爾還披露了一種全新的分解式散熱器技術(shù)，可將散熱器分解成平板和加強(qiáng)筋，以改善散熱器與位于散熱器和底層芯片之間的熱界面材料（TIM）之間的耦合，另外還有助于將TIM耦合焊料中的空隙減少25%。

英特爾展示了一款集成微通道的散熱器，液體可直接通過IHS冷卻處理器，可支持TDP高達(dá)1000W的處理器封裝。

英特爾在服務(wù)器和消費(fèi)產(chǎn)品中都采用了熱壓粘合技術(shù)，現(xiàn)在還開發(fā)出一種專門針對(duì)大型封裝基板的新型熱壓粘合工藝，有助于克服粘合過程中的芯片和基板翹曲，可最大限度地減少了鍵合過程中封裝基板和芯片之間的熱差，從而提高了良率和可靠性指標(biāo)，并實(shí)現(xiàn)了比目前大批量生產(chǎn)中更大的芯片封裝。

該技術(shù)還能實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的EMIB連接間距，有助于從EMIB-T中榨取更高的密度。

【來源：超能網(wǎng)】